하나의 임무를 위한 두 순도 등급: 유전체에서 이동성 이온을 차단하는 것. 양산 전자세라믹에는 EG-99를, 데이터시트가 ppm을 요구하는 곳에는 EG-99H를 선택하십시오.
| 사양 항목 | EG-99 | EG-99H |
|---|---|---|
| Cr₂O₃ | ≥ 99.2 % | ≥ 99.5 % |
| 나트륨 (Na₂O) | ≤ 100 ppm | ≤ 50 ppm |
| 철 (Fe) | ≤ 200 ppm | ≤ 100 ppm |
| 칼슘+마그네슘 (CaO + MgO) | ≤ 150 ppm | ≤ 80 ppm |
| 자성 불순물 | ≤ 10 ppm | ≤ 5 ppm |
| 입자 크기 D50 | 0.6–1.5 μm | 0.3–0.8 μm |
| 강열 감량 (1000 °C) | ≤ 0.2 % | ≤ 0.15 % |
| Cr(VI) | 검출 안 됨 | 검출 안 됨 |
| 비표면적 (BET) | 3–8 m²/g | 5–12 m²/g |
| 탭 밀도 | 2.4–3.0 g/cm³ | 2.0–2.6 g/cm³ |
| 겉보기 밀도 | 1.1–1.4 g/cm³ | 0.9–1.2 g/cm³ |
| 입자 스팬 D10–D90 | 0.2–3.0 μm | 0.1–1.8 μm |
나트륨이 헤드라인을 장식하지만 혼자가 아닙니다. 여덟 가지 특성이 전자급 Cr₂O₃가 귀하의 부품에서 제 역할을 할지를 결정합니다. 모두 ppm 스케일로 관리됩니다.
직류 바이어스 하에서 Na⁺가 BaTiO₃ 입계를 따라 이동하며 콘덴서 수명 내내 절연저항을 저하시킵니다. 유일한 해법은 원료 단계의 ppm 수준 나트륨 관리입니다.
알칼리 오염은 정전용량과 tan δ의 열화를 가속합니다. 전자세라믹 제조사가 저나트륨에 비용을 지불하는 이유는 현장 불량이 ppm보다 훨씬 비싸기 때문입니다.
타깃의 알칼리 금속은 박막의 기상 불순물이 됩니다. ≤50 ppm Na₂O 원료 분말은 클린룸 공급망의 첫 관문입니다.
강자성 입자(Fe, Ni, Co)는 얇은 유전체 층을 관통하는 단락 경로를 만들고 타깃 표면에서 아크를 일으킵니다. EG-99H는 철 ≤100 ppm, 자성 불순물 ≤5 ppm으로 유지합니다.
CaO와 MgO는 입계 화학과 소결 거동을 변화시킵니다——로(爐)는 이를 밀도와 수축률 편차로 감지합니다. ppm 관리가 모든 로트를 동일한 소성 곡선 위에 유지합니다.
공정 잔류 음이온은 동시소성 중 비금속 전극을 침식하고 페이스트 유변성을 교란합니다. 전자급 세척 공정이 검출 한계 이하로 낮춥니다.
D50만으로는 부족합니다——좁은 D10–D90 스팬과 관리된 BET 비표면적이 Cr₂O₃의 BaTiO₃ 분산 균일성을 결정합니다. 유전체가 보는 것은 균일성입니다.
휘발분과 흡착수는 소결 시 기공과 가스 결함이 됩니다. EG-99H의 강열 감량 ≤0.15 %는 로가 매번 깨끗하게 소성함을 의미합니다.
ppm급 Cr₂O₃가 제값을 하는 곳——부품 체인에서 확립된 여섯 가지 역할.
Cr₂O₃는 티탄산바륨계 적층세라믹콘덴서의 고전적 억셉터 도펀트입니다. 티타늄 자리의 크롬이 비금속 전극 소성 중 환원을 억제하고, 절연저항을 높게 유지하며, 직류 바이어스 수명을 개선합니다.
고순도 Cr₂O₃는 내마모·광선택성 코팅용 타깃으로 열간 프레스 또는 소결됩니다——절삭공구, 태양광 흡수층, 장식막. 분말 순도는 그대로 막 순도에 직결됩니다.
Bi₂O₃–Sb₂O₃–MnO–Cr₂O₃계에서 크롬은 입계 장벽에 위치하여——비선형 I-V 니를 날카롭게 하고 서지 보호기에서 바리스터의 전기적 열화를 억제합니다.
저항체·전극 페이스트는 미세 Cr₂O₃로 유리상을 조정합니다——기판과 열팽창을 정합하고 소성막의 소결 윈도우를 설정합니다.
크롬 도핑이 압전 세라믹과 PTC 서미스터의 온도계수와 손실을 정밀 조정합니다——소량 첨가로 로트에 큰 효과를 냅니다.
플라즈마 용사 Cr₂O₃ 코팅은 아닐록스 롤, 펌프 씰, 인쇄 기계를 보호합니다. 전자급은 기계적 코팅에 화학적 치밀성을 더합니다.
EG 시리즈를 둘러싼 심층 기사——화학, 사양, 그리고 전자급 Cr₂O₃ 구매 방법.
